Bar-Ilan U. (Israël) et EPFL (Suisse) : des mémoires vives deux fois plus petites et moins énergivores

La mémoire vive développée par RAAAM © 2020 Alain Herzog La mémoire vive développée par RAAAM © 2020 Alain Herzog

Des chercheurs de l’Université Bar-Ilan (BIU) en Israël et de l’EPFL (Suisse) ont mis au point des mémoires vives deux fois plus petites et moins gourmandes en énergie que les systèmes actuels tout en ayant une capacité de stockage identique. La start-up RAAAM a été créée afin de commercialiser cette technologie.

L’objectif de cette start-up, forte de sept brevets, est de délivrer des licences aux fabricants de puces. « Utiliser ces mémoires intégrées plus denses permettra de réduire considérablement leurs coûts», prévoit Robert Giterman. Les chercheurs-entrepreneurs de la Faculté STI à l’EPFL et de la BIU, tous spécialistes des mémoires embarquées, en sont convaincus, la technologie de RAAAM a le potentiel de capter une partie importante de cet immense marché. Elle a en tous les cas déjà convaincu le jury du prestigieux prix Venture dont la start-up a récemment été lauréate dans la catégorie « industrie et ingénierie ».

La mémoire vive joue un grand rôle dans la fluidité de tous les systèmes digitaux, des ordinateurs et smartphones à l’internet des objets en passant par les réseaux de communication. À tel point qu’elle occupe la majeure partie de la surface de silicium des appareils. Les fabricants cherchent des solutions afin de diminuer le coût, de miniaturiser les appareils ou d’augmenter leurs capacités. Une équipe de chercheurs de l’EPFL et de l’Université Bar-Ilan (BIU), en Israël, est parvenue à résoudre cette dichotomie en diminuant par deux le silicium nécessaire pour la fabrication d’une mémoire tout en conservant la même capacité de stockage. Convaincue du potentiel de leur produit, qui permet également de diminuer la consommation d’énergie des appareils, l’équipe lance une start-up. RAAAM, forte de plusieurs brevets, est prête à vendre sa technologie aux principaux acteurs de l’industrie des semi-conducteurs.

Le secret : moins de transistors

Le traitement des informations sur les systèmes intégrés fonctionne grâce à des transistors qui agissent comme des commutateurs. Chaque puce peut en comprendre plusieurs milliards. Le secret du gain de place et d’énergie des dispositifs mis au point à l’EPFL et à la BIU est une disposition différente de minuscules unités. Des raccourcis permettent de n’utiliser que deux ou trois transistors pour le stockage d’un bit informatique contre six à huit pour la technologie la plus utilisée actuellement, la SRAM. Dans l’espace restreint du hardware, la place de la mémoire vive est en concurrence directe avec d’autres composants. Plus de place permet par exemple de placer davantage de mémoire vive sur la même puce, augmentant ainsi la performance de l’appareil. À performance égale, cette réduction par deux du nombre de transistors permet également une diminution de l’énergie nécessaire au fonctionnement de l’appareil.

Andreas Burg (à g.) et Robert Giterman

Andreas Burg (à g.) et Robert Giterman

Alors que d’énormes progrès ont été réalisés dans la logique de calculs, la dernière décennie n’a pas vu émerger de véritable évolution. « Seule la taille des composants s’est améliorée, mais pas de vraie nouveauté », commente Andreas Burg, professeur au Laboratoire de circuits pour télécommunications à l’EPFL et cofondateur de la start-up. Une alternative, la eDRAM, s’est aventurée sur le marché. « Elle n’a cependant pas été massivement adoptée par l’industrie, car elle est incompatible avec un processus de fabrication standard : elle nécessite des étapes spécifiques et donc onéreuses », souligne Robert Giterman, l’un des chercheurs à l’origine du système et futur CEO de RAAAM. La technologie de la start-up, appelée GC-eDRAM, est aussi petite et performante, mais compatible avec un processus de fabrication standard.

Une mémoire qui a déjà fait ses preuves

Cette technologie a déjà fait ses preuves chez des fabricants de semi-conducteurs de premier plan. Une dizaine de circuits intégrés contenant jusqu’à 1 Mo de mémoire vive ont été placés avec succès sur des puces standards allant de 180 nm à 16 nm. « Les fabricants peuvent remplacer le mémoire de leurs puces par la nôtre sans rien modifier d’autre», souligne Andreas Burg.

Par Cécilia Carron pour l’EPFL

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